据 Yole Developpement 称,到2029年,SiC器件市场预计将超过100亿美元,CAGR 2023-2029年为25%。
由于大规模产能扩张,预计到 2026 年,整个 WFE(晶圆厂设备)SiC制造设备市场将达到50亿美元的峰值。
SiC 材料的固有特性需要特定的工具和工艺。鉴于碳化硅器件收入预测不断增长,厂商已经提前进行了大量投资。
从6英寸到8英寸的过渡也是功率SiC投资的关键驱动力。 
截至2024年,6英寸是领先厂商的主流SiC晶圆,由于基于6英寸的产能大幅扩张,预计这种情况在我们的预测期内将持续到2029年。Wolfspeed 是唯一在 8 英寸平台上部分制作的播放器。鉴于8英寸的研发,多家IDM和SiC晶圆厂商已经展示了8英寸样品。预计将于 2025 年开始首批出货。由于截至 2024 年开放 SiC 晶圆市场缺乏批量出货,因此 8 英寸 SiC 平台被认为具有战略性,在未来五年内主要是自有的。根据行业反馈,没有强调有关 8 英寸过渡的制造工具的担忧。安装的工具已经兼容 8 英寸。
器件、外延片和晶圆级的投资和扩张正在推动价值数十亿美元的SiC功率市场的增长。 
设备制造商正在各个地区建设设施。碳化硅晶圆生产虽然重要但有限,但已大幅扩张,尤其是在中国,从而引发了大量设备订单。2023年,超过1/3的SiC晶圆和外延片市场被中国企业占领。这与中国的设备能力相符:截至2024年,多家中国PVT和HTCVD厂商活跃。随着价值链向设备的转移,中国的设备供应尚未自给自足。因此,中国设备厂商要想获得市场份额仍需要时间。 
Yole 的 Taha Ayari 表示:“截至 2024 年,生产 SiC 晶圆的主要方法是 PVT(物理气相传输),市场规模将超过 20 亿美元。对于晶圆生产至关重要的 SiC 粉末市场预计将超过美国到2029年将达到3600万美元。PVT 工具和粉末市场主要由确保内部质量的参与者垄断和控制。”
SiC 的独特性能需要专门的制造工具和生产线来处理功率 SiC 器件。 
预计从 2024 年到 2029 年,外延设备市场将累计产生 43 亿美元的收入,而 SiC 离子注入机市场预计同期将产生 49 亿美元的收入。
扩散炉和热氧化机械等设备预计在未来五年内将产生 14 亿美元的收入。M&I(计量与检测)工具对于检测 SiC 晶圆/外延晶圆和器件加工过程中的缺陷至关重要,预计2024年至2029年累计收入将达到 57 亿美元。
有助于扩大SiC市场的其他工具包括老化测试、图案化、晶圆键合、减薄和CMP工具。
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至于工具制造商的情况,每一步都会有所不同。例如,SiC 离子注入机和退火工具供应商市场与已确定的领先参与者更加整合,而蚀刻工具供应商格局仍在不断发展,因为许多参与者试图占领更高的市场份额。
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■ SiC材料的固有特性要求特定的工具和设备加工
与Si相比,WBG SiC材料为高压、高频功率器件提供了优越的性能,即带隙宽3倍、电子漂移速度高2倍、介电击穿高5-6倍。由于可以使用硅半导体设备和消耗品进行加工,因此可以生产功率 SiC 器件类型(SBD、平面和沟槽 MOSFET)。然而,不同的材料特性需要对设备进行调整/重新设计。
对于WFE器件制造,关键参数是高温要求和强Si-C键,它们定义了每个步骤的各种工艺窗口。碳化硅外延工具需要高温,这具有挑战性且成本高昂。高通量和高运行重复性是必须的。水平式 HTCVD 拥有多个供应商、更容易维护且产量高,因此比垂直式更受青睐。在室温 (RT) 下,SiC 的离子注入会导致材料的高密度缺陷和非晶化。因此,SiC的离子注入通常在高温下进行(热注入,例如在400-1000℃的范围内),以动态消除离子产生的缺陷。同样,所有退火和热氧化步骤都在高温 (>1200 C) 下进行。一般来说,高温要求要求特定的工具设计,例如工艺室的几何形状、材料和加热器类型,以保证良好的均匀性和产量。
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到 2024 年,大部分已安装晶圆产能将用于平面 SiC 器件生产(55%),其次是 SBD(28%)和沟槽 SiC MOSFET(17%)。展望2029年,我们预计SiC沟槽MOSFET份额将增至31%。